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第三代半導(dǎo)體核心材料研發(fā)生產(chǎn)能力大幅提升


時間:2011-05-11





從上海硅酸鹽研究所獲悉,日前,20余臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅晶體生產(chǎn)爐已成功穩(wěn)定生產(chǎn)高質(zhì)量碳化硅晶體。據(jù)碳化硅晶體項目部晶體生長組組長嚴成鋒介紹,自主研制新一代中用晶體爐可以打破發(fā)達國家技術(shù)壟斷,大大提升我國第三代半導(dǎo)體核心材料的自主研發(fā)生產(chǎn)能力。在項目部的一間測試實驗室內(nèi),項目部薄膜與測試小組組長劉學(xué)超說,項目部研制的晶體材料,都需要在這些檢測機器上完成表征測試,并按照國際標準,對晶體質(zhì)量的表征進行逐項比對,確保每項數(shù)據(jù)都合格。隨著項目進入關(guān)鍵階段,每天的質(zhì)量測試工作差不多有十幾個小時。

據(jù)介紹,當上海硅酸鹽研究所承接國家第三代半導(dǎo)體核心材料碳化硅晶體自主研發(fā)項目時,讓很多從事這一領(lǐng)域的科研人員十分振奮,迅速由兩個相關(guān)課題組合并成為一個大項目部,來自上海、福建、河南、湖北、陜西等各個省市的研發(fā)團隊中,70%以上的人都具有博士學(xué)位。嚴成鋒表示,現(xiàn)在,該項目部已經(jīng)掌握了從原料到晶體生長、加工、清洗、檢測直至用戶生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的全部技術(shù)。

來源:中國質(zhì)量報



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