日前，我國第1款具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器芯片研制成功，打破了存儲器芯片生產(chǎn)技術(shù)長期被國外壟斷的局面，產(chǎn)業(yè)化前景可觀。

據(jù)介紹，相比于傳統(tǒng)存儲器利用電荷形式進(jìn)行存儲，相變存儲器主要利用可逆相變材料晶態(tài)和非晶態(tài)的導(dǎo)電性差異實(shí)現(xiàn)存儲，被稱為是“操縱原子排列而實(shí)現(xiàn)存儲”的新型存儲器。

相關(guān)專家表示，我國半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模目前已接近1800億元，但由于長期缺乏擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的制造技術(shù)，國內(nèi)存儲器生產(chǎn)成本極為高昂。上述相變存儲器自主研制成功，使我國的存儲器芯片生產(chǎn)有望真正擺脫國外的技術(shù)壟斷。

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